个人简介

刘婷，国家级青年人才。博士毕业于中国科学院半导体研究所，曾在日本名古屋大学和国立材料研究所从事博士后研究，合作导师为诺贝尔物理学奖得主天野浩教授（氮化镓蓝光LED）和日本国立材料研究所所长小出康夫研究员。在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料生长与器件应用领域深耕十余年，目前主要从事光量子芯片与微纳系统研究，包括光子晶体激光芯片技术、半导体芯片散热技术、激光芯片失效分析等。先后主持国家自然科学基金青年项目、面上项目等6项科研项目。已在国际权威期刊发表SCI论文40余篇（ACS Nano、Nano Energy等），授权国家发明专利10余项。诚挚欢迎对半导体激光光源及相关研究方向感兴趣的同学报考硕士、博士研究生！  

研究方向

(1) 半导体深紫外激光光源

(2) 半导体激光器失效研究

(3) 半导体芯片散热技术

学术成果                                    

(1) Q. Tian, J. Ji, C. Fang, Z. Shen, Y. Liu, C. Du, Y. Lu, M. Sun, T. Liu^*, S. Tan^*, and J. Zhang^*, Substrate-Dependent Growth and Optoelectronic Properties of Sputtered Hexagonal Boron Nitride Films, Journal of Applied Physics, vol. 138, no. 15, 2025.

(2) J. Ji, M. Sun, X. Li, Y. Lu, T. Liu^*, and J. Zhang^*, Defect Analysis by X-Ray Diffraction in Semipolar (11-22) AlN Grown by HVPE, Crystal Growth & Design, vol. 25, no. 20, 2025.

(3) J. Ji, T. Liu^*, Z. He, C. Fang, X. Yan, M. Chen, Z. Shen, M. Sun, and J. Zhang^*, Semipolar (11-22) AlN Films Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy for Schottky Barrier Diodes, Crystal Growth & Design, vol. 24, no. 9, pp. 3960–3966, 2024.

(4) T. Liu, H. Watanabe, S. Nitta, J. Wang, G. Yu, Y. Ando, Y. Honda, H. Amano, A. Tanaka^*, and Y. Koide, Suppression of the Regrowth Interface Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs by Unactivated Mg Doped GaN Layer, Applied Physics Letters, vol. 118, no. 7, 2021.

(5) T. Liu, D. Li, H. Hu, X. Huang, Z. Zhao, W. Sha, C. Jiang, C. Du, M. Liu, X. Pu, B. Ma^*, W. Hu^*, and Z. L. Wang^*, Piezo-Phototronic Effect in InGaN/GaN Semi-Floating Micro-Disk LED Arrays, Nano Energy, vol. 67, p. 104218, 2020.

授权专利                                    

(1) 刘婷，张纪才.一种提高氮化镓基高电子迁移率晶体管的二维电子气浓度的方法，国家发明专利：ZL202211257406.9.

(2) 新田州吾，渡边浩崇，刘婷，天野浩.一种防止硅氧烷污染的氮化物半导体晶圆的封装方法（ウエハパッゲ - ジおよひその製造方法），JP2021014507.