2015-2018 中国科学院大学 微电子学与固体电子学 博士

2018-2021 名古屋大学 博士后 合作导师：天野浩教授（2014年诺贝尔物理学奖）

2021-2025 北京化工大学 副教授

2026-至今 北京航空航天大学 副教授

《激光器技术与应用》、《固态电子与光电子》等

(1) 半导体激光光源设计与制备

(2) 半导体激光器失效与散热研究

(3) 自由空间光通信

诚挚欢迎光学、电子、仪器、物理等相关专业同学报考硕士、博士研究生！

发明专利

(1) 刘婷，张纪才。一种提高氮化镓基高电子迁移率晶体管的二维电子气浓度的方法，国家发明专利：ZL202211257406.9。

(2) 新田州吾，渡边浩崇，刘婷，天野浩.一种防止硅氧烷污染的氮化物半导体晶圆的封装方法（ウエハパッゲ - ジおよひその製造方法），JP2021014507。

(3) 张纪才，刘婷。高质量氮化铝模板及其制备方法和应用，国家发明专利：ZL202111497389.1。

(4) 张纪才，刘婷，王建峰，徐科。一种制备半极性AlN模板的方法，国家发明专利：201610137668.X。

代表性论文

(1) T. Liu, F. Chen, J. Li J, and C. Tong*. Frequency-domain thermoreflectance for micro-and nanoscale thermal metrology: principles, instrumentation, and reliable parameter extraction. Advanced Scientific Instruments, 2026: 100037.

(2) J. Ji, M. Sun, X. Li, Y. Lu, T. Liu*, and J. Zhang*, Defect Analysis by X-Ray Diffraction in Semipolar (11-22) AlN Grown by HVPE, Crystal Growth & Design, vol. 25, no. 20, 2025.

(3) J. Ji, T. Liu*, Z. He, C. Fang, X. Yan, M. Chen, Z. Shen, M. Sun, and J. Zhang*, Semipolar (11-22) AlN Films Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy for Schottky Barrier Diodes, Crystal Growth & Design, vol. 24, no. 9, pp. 3960–3966, 2024.

(4) T. Liu, H. Watanabe, S. Nitta, J. Wang, G. Yu, Y. Ando, Y. Honda, H. Amano, A. Tanaka*, and Y. Koide, Suppression of the Regrowth Interface Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs by Unactivated Mg Doped GaN Layer, Applied Physics Letters, vol. 118, no. 7, 2021.

(5) T. Liu, D. Li, H. Hu, X. Huang, Z. Zhao, W. Sha, C. Jiang, C. Du, M. Liu, X. Pu, B. Ma*, W. Hu*, and Z. L. Wang*, Piezo-Phototronic Effect in InGaN/GaN Semi-Floating Micro-Disk LED Arrays, Nano Energy, vol. 67, p. 104218, 2020.